韩媒唱衰：中国十年内搞不出EUV光刻机，但中国可能要造光刻工厂

2026年4月,韩国《韩国先驱报》刊发题为《为何中国本十年难以实现EUV雄心》的专题评论，直言中国在2030年前无法实现EUV光刻机的商业化自主化.

这篇韩媒文章核心观点明确，认为中国在本十年内无法造出可商用的EUV光刻机，依据主要有三点。

1.技术壁垒极高，EUV光刻机是人类工业史上最复杂的设备，单台包含超10万个零部件，涉及光学、精密机械、材料科学、真空技术等数十个顶尖领域，全球无任何一国能单独制造，荷兰ASML的EUV机依赖德国蔡司的光学镜头、美国的光源技术及全球5000多家供应商的核心部件。

2.供应链全面封锁，美国不仅禁止EUV整机出口，还在2026年扩大禁令，将所有DUV浸没式光刻机纳入管制，要求荷兰等盟友150天内执行，中国连成熟制程的DUV设备获取都愈发困难，更难反向工程突破EUV。

3.商业化鸿沟难以跨越，韩国汉阳大学材料学教授安振浩在文中提到，实验室原型机与量产商用设备是两回事，ASML从2006年首台EUV原型机到2013年正式商用，耗时7年，且背靠台积电、三星的海量量产数据迭代，中国既无商用EUV机，也缺乏7nm及以下制程的量产数据闭环，10年内难以实现商业化。

中国在光刻机领域的自主化进程，呈现出“成熟制程突破、高端制程追赶、差异化路径探索”的态势，不能简单用“完全落后”或“即将突破”概括。

在DUV光刻机方面，中国已实现实质性突破，上海微电子的28nm浸没式DUV光刻机（SSA800系列）在2026年全面量产，进入中芯国际、华虹无锡产线，良率达90%-95%，国产化率超85%，改进版可通过多重曝光实现14nm稳定量产，理论覆盖7nm等效制程，这是中国光刻机自主化的重要里程碑。

在EUV核心技术研发上，中国多点布局取得阶段性进展，光源领域，中科院上海光机所团队研发的固体激光驱动EUV光源，转换效率达3.42%，逼近ASML水平；

哈工大采用放电等离子体路线研发出13.5nm极紫外光样机；科益虹源的EUV光源已进入实验室验证阶段。

光学系统方面，国望光学的28nm浸润式镜头已量产，正在攻关EUV级光学系统；浙大研发出EUV物镜装调干涉仪，解决光学畸变校正难题。

精密机械领域，华卓精科成为全球第二家掌握双工件台技术的企业，打破国外垄断。

整机层面，上海微电子的EUV光刻机已进入试产阶段，规划2026年小批量交付，但目前仅为原型机，距离商用还有距离。

中国的差异化突围路径，清华大学主导的稳态微聚束（SSMB）光源技术，避开ASML的单台设备架构，构建分布式同步辐射光源系统，峰值EUV功率可达10千瓦以上，通过真空波导网络分发至多个曝光终端，2024年10月已启动关键技术验证项目，探索不依赖传统EUV的光刻新方案。

综合来看，韩媒的判断有其现实依据，EUV光刻机的技术与供应链壁垒，确实让中国在2030年前实现商业化自主化的难度极大，短期内难以打破ASML的垄断格局。但就此断言中国完全无法突破，也低估了中国产业的韧性与创新能力。

中国的光刻机自主化，从来不是单纯复制ASML的路线，而是在成熟制程站稳脚跟的同时，一边攻关EUV核心技术，一边探索差异化路径。

从28nm DUV量产到EUV原型机测试，再到新光源路线的布局，每一步都在缩小差距。

EUV的突破注定是一场持久战，既不能盲目乐观，也不必悲观气馁，中国正以自己的节奏，在封锁中突围，在挑战中前行，这场关于高端光刻机的博弈，远未到终局。