近日，国家知识产权局集成电路布图设计专有权公告信息显示，中国科学技术大学提交的“硅光电倍增管前端读出集成电路”布图设计正式通过国家知识产权局审查，获得集成电路布图设计专有权公告。本次公告是国家知识产权局落实集成电路领域知识产权保护相关部署，对符合原创性要求的布图设计予以确权公示的常规行政流程，标志着该款面向硅光电倍增管应用场景的专用集成电路布图设计的知识产权归属得到官方权威确认。

该专有权的取得，将为中国科学技术大学在核探测、生物医学成像等相关前沿领域的技术成果转化提供坚实的知识产权支撑。

本次集成电路布图设计相关信息的官方发布时间与公告日期一致，均为2026年11月13日，对应的布图设计登记号为BS.265575079，该编号是国家知识产权局为该款布图设计分配的唯一身份标识，可用于后续专有权查询、维权等各类知识产权相关场景。该布图设计的正式申请提交于2026年5月6日，经过近半年的审查流程后完成本次公告，对应的公告号为99369，是本次专有权公示序列中的官方编号。本次获得确权的布图设计全称为硅光电倍增管前端读出集成电路，该设计针对硅光电倍增管的信号读出需求定制开发，属于专用模拟集成电路布图设计范畴。该布图设计的权利人为中国科学技术大学，是该专有权的合法持有主体，依法享有对应的复制、发行等专有权利。本次公告公示信息中未列明布图设计创作人相关内容，该布图设计的创作完成日为2025年9月29日，从创作完成到提交申请间隔约7个月，符合集成电路领域技术研发迭代后启动知识产权确权的常规时间节奏。

综合点评

本次硅光电倍增管前端读出集成电路布图设计获国家知识产权局授权，标志着中科大该定制化专用电路的知识产权归属得到官方权威确认。这一专有权为其在核探测、生物医学成像等前沿领域的技术成果转化筑牢了知识产权护城河，可有效支撑后续技术落地、权益维护与产业合作，为相关前沿技术的商业化推进提供坚实保障。