Jefferies：内存展望

>内存价格预计将在短期内大幅上涨——2026 年第三季度环比上涨40%—50%，第四季度再 环比上涨30%-40%。

>价格上涨可能将持续至2027年， 由于晶圆产 能零增长，预计同比增长40%-45%。

>云服务提供商 （CSPs） 通过签署要求40% 预付款的两年期长期协议（LTAs） ，已锁定总 产能的50%（可能升至70%）。

>没有消费电子（CE） 玩家签署这些LTAs。 由于CSPs正在吞噬供应，CE玩家面临巨大压 力， 并将在2027年前可用供应大幅减少。

>由于技术差距不断扩大，中国不会威胁2026 年或2027年的当前内存牛市。

>CXMT的DRAM技术落后于全球领先者1.5 至2代。 没有EUV光刻技术， 他们无法升级至 DDR6或HBM3E。

>虽然中国当前的扩张仅影响低端细分市场， 但其NAND技术预计将变得更具全球竞争力， 并可能在2028年赶上。

>在HBM4方面，随着行业转向混合键合，三 星预计将消除其先前的技术劣势。此外， 调查 显示三星的HBM4 4nm基底芯片提供了业内最 佳性能， 从而赋予其竞争优势。