打破西方垄断！
俄罗斯光刻机双重大突破！
5月21日，俄罗斯官方官宣两大光刻技术重大突破，成功绕开ASML垄断技术路线，实现半导体光刻技术自主突围，打破西方长期技术封锁。

一方面，俄罗斯Progress STP-350型350nm商用光刻机正式投产，该设备依托i线紫外光源技术，适配8英寸晶圆生产，主打军工、航空航天领域应用，具备抗干扰、高稳定的特性，可全面满足本国军用芯片自主生产需求，填补国产商用光刻空白，后续计划2026年冲刺130nm制程原型机。

另一方面，俄罗斯在前沿领域实现颠覆性突破，6.7nm气体靶EUV光源技术完成实验室验证，区别于ASML传统锡靶路线，全新锂氙气体团簇靶技术效率是西方产品的3-4倍，无污染、运维成本更低，理论可支撑3nm、1.5nm极致芯片制程。

此次双线突破，让俄罗斯实现军用芯片自主可控，摆脱制裁带来的芯片困境，同时打造出全球第二条EUV技术路线，松动了ASML的独家垄断地位，为全球半导体突围提供全新技术思路。