SiGe产能卡脖子下，卓胜微成中国版Tower唯一解
近一年光通信投资逻辑完成根本性切换，从拍估值计算器转向产业卡位与稀缺性定价。源杰科技凭借InP光芯片国产龙头地位走出独立行情，是市场对国产光芯片稀缺性的首次定价；而进入CPO与硅光时代，产业链话语权已从单一光源设计，转向电+光全链条制造能力，SiGe工艺成为决胜关键。
全球硅光代工霸主Tower Semiconductor以SiGe BiCMOS+硅光双平台垄断核心产能，在英伟达Rubin架构与Spectrum-X CPO交换机中，SiGe工艺的Driver/TIA芯片是核心心脏。其约60%的8英寸产能与全部高端SiGe产能集中在以色列，当前区域物流瘫痪、工厂面临停产风险，Tower已将剩余产能优先保障英伟达、博通等美系客户，对国内厂商停接新单、延期交单，国内光模块供应链陷入被动。
AI算力指数级增长倒逼光互联迭代，可插拔模块逼近物理极限，CPO凭借低功耗、高密度成为下一代主流。2026年全球1.6T模块出货量将达2000万只，2027年暴增至6000万只，硅光在1.6T方案中渗透率高达70%-80%。硅光核心壁垒在于SiGe电芯片与光子集成，Tower占据全球70%以上高端SiGe代工份额，产能被锁至2028年，叠加地缘冲突与连续涨价，国产替代迫在眉睫。
国内厂商中，燕东微硅光布局偏弱，中芯国际、华虹在SiGe+SOI工艺代差显著，卓胜微凭借百亿投入的12英寸SiGe IDM产线，成为唯一规模化替代标的。公司为IDM一体化模式，技术与Tower高度同源，射频高频低噪能力可直接复用至光通信芯片；当前月产能7000片，2026年Q3扩至1万片，远期1.5万片，12英寸相较8英寸成本降低约50%，良率稳定92%以上，逼近Tower水平。
技术端，卓胜微800G/1.6T光模块TIA/Driver已流片测试，支持112G/224G PAM4，已向中际旭创、新易盛、天孚送样，预计2026年下半年小批量量产，同步布局CDR、LDD及薄膜铌酸锂等全栈光芯片。产能端，芯卓项目累计投入超81亿元，富余产能可先行试产光芯片，折旧逐步完成后利润弹性极大。主业端，L-PAMiD模组切入华为、荣耀，2026年收入有望达12亿元，叠加卫星通信与6G预期，提供坚实业绩安全垫。
盈利测算显示，射频业务可贡献20亿净利润，对应400亿市值；光芯片月产能1.5万片下，年入75亿元，净利润超15亿元，对应300-400亿市值，IDM一体化与零资本开支 further 增厚利润。当前市场仍将其视为射频周期股，股价处于历史低位，随着SiGe产能价值被认知，有望从射频设计公司重估为AI光芯片核心平台。
源杰科技是从0到1的突破，卓胜微则是从1到N的制造重构。在Tower产能被锁死、CPO时代来临之际，卓胜微将扛起中国光通信制造脊梁，开启第二成长曲线。